三星宣布已开始基于其第二代10nmLPP工艺节点批量生产零件。对于希望获得尖端半导体技术的客户而言,该公司面临来自台积电和GlobalFoundries的竞争,这是一个重要的步骤。

随着工艺节点的进展以及从一个节点转移到下一个节点所提供的改进程度分别放缓和缩小,对于代工厂而言,它们在多代产品中的性能改进更为普遍@Anson@SEO@。三星的第一代10nm,10nmLPE与其14nm前代产品相比,性能提高了27%,功耗降低了40%。与10nmLPE部件相比,新的10nmLPP工艺的性能降低了10%,性能提高了10%或功耗降低了15%。

“我们将能够通过迁移从更好的方式为客户提供服务10LPE至10LPP具有改进的性能和更高的初始产量,“三星电子铸造营销副总裁RyanLee说。“凭借其长寿10nm工艺策略的三星将继续致力于将10nm技术发展至8LPP,为各种应用提供独特的竞争优势。”

三星及其竞争对手台积电(TSMC)正在采取与10纳米不同的路径。台积电已表示将10nm视为短寿命节点,而三星计划将该技术保持较长时间。对于如何导航节点转换的问题,没有正确的答案,特别是考虑到节点名称现在缺乏任何客观含义的方式,除了市场营销说新名称更好。

台积电,GlobalFoundries,三星和英特尔都有同一节点上不同的特定大小,英特尔通常提供比同一标签上的纯播放代工厂更小的功能。例如,台积电和三星10nm预计将与英特尔的14nm功能相匹配,而当三家竞争对手的代工厂部署它时,英特尔10nm应该等于7nm。在与EUV可用性相关的长期路线图中,以及在半导体设计中使用三重或四重图案的可行性方面也存在一些不确定性;这些特性允许193nmArF光刻技术在如此微小的尺度下蚀刻特征,但它们也会增加掩模,从而推高SoC成本。

三久久影视星也宣布其新工厂S3已准备好在10nm生产上实现增长在不久的将来,EUV整合也是如此。该公司还将建立一个没有EUV的8nm节点,如果EUV集成不顺利,将为自己提供一条迁移路径。

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